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标题
Analytical modeling for drain current of strained Si NMOSFET
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网址
https://doi.org/10.7498/aps.62.237103
DOI
10.7498/aps.62.237103 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Chunyu Zhou; Zhang He-Ming; Huiyong Hu; Yiqi Zhuang; Luocai Yi; et al
出版日期：2013-01-01
求助人
CodeCraft 在 2025-10-13 21:59:27 发布自天津，悬赏 10 积分
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