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  High performance of diamond p+-i-n+ junction diode fabricated using heavily doped p+ and n+ layers 重掺杂p+和n+层制备高性能金刚石p+-i-n+结二极管
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kazuihiro Oyama; Sung‐Gi Ri; Hiromitsu Kato; Masahiko Ogura; Toshiharu Makino; et al 出版日期：2009-04-13 |
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