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4.15 kV/4.6 mΩ⋅cm² 4H-SiC Epi-Refilled Super-Junction Schottky Diode With Ring Assisted Super-Junction Termination Extension |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Haoyuan Cheng; Hengyu Wang; Ce Wang; Jiangbin Wan; Chi Zhang; et al 出版日期:2024-10-15 |
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