Design of β‐Ga2O3 Enhancement‐Mode Metal‐Oxide‐Semiconductor Heterojunction Field‐Effect Transistor Using Counter‐Doped β‐Ga2O3 Channel

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标题	Design of β‐Ga2O3 Enhancement‐Mode Metal‐Oxide‐Semiconductor Heterojunction Field‐Effect Transistor Using Counter‐Doped β‐Ga2O3 Channel
网址	http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202400854
DOI	10.1002/aelm.202400854 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Taeeun Lee; Yusup Jung; Jun Young Park; Sujin Kim; Sinsu Kyoung; et al 出版日期：2025-04-17
求助人	Yiovoij 在 2026-11-05 17:07:37 发布自重庆，悬赏 10 积分
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