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Shallow electron traps at the 4H–SiC/SiO2 interface 4H-SiC/SiO2界面的浅电子陷阱
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期刊:Applied Physics Letters 作者:V. V. Afanas’ev; A. Stesmans; M. Baßler; Gerhard Pensl; Max J. Schulz 出版日期:2000-01-17 |
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