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 Comprehensive evaluation of T-gated AlN/GaN/SiC MOSHEMTs with ZrO2/Al2O3 dielectrics towards performance enhancement through lateral scaling and passivation optimization for power switching and RF applications 具有ZrO2/Al2O3电介质的T门控AlN/GaN/SiC MOSHEMT通过横向缩放和钝化优化提高功率开关和射频应用的性能的综合评估
相关领域
钝化
材料科学
电介质
缩放比例
光电子学
工程物理
纳米技术
图层（电子）
工程类
几何学
数学
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| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Lavanya Repaka; J. Ajayan; Sandip Bhattacharya; B. Mounika 出版日期：2025-01-27 |
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(2025-6-4)
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