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Reliability of Quasi-vertical GaN on Silicon Schottky Barrier Diodes With SiO₂ Passivation Layer Under On-State Stress Bias
具有SiO₂钝化层的硅肖特基势垒二极管上准垂直GaN在通态应力偏压下的可靠性
相关领域
钝化 可靠性（半导体） 材料科学 光电子学 硅 压力（语言学） 肖特基二极管 图层（电子） 二极管 肖特基势垒 宽禁带半导体 氮化镓 电子工程 电气工程 工程物理 纳米技术 工程类 物理 功率（物理） 量子力学 语言学 哲学
网址
http://doi.org/10.1109/ted.2024.3433310
DOI
10.1109/ted.2024.3433310 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Ya-Xun Lin; Der-Sheng Chao; Jenq‐Horng Liang; Yao-Luen Shen; Chih‐Fang Huang; et al
出版日期：2024-08-08
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tabblk 在 2025-12-04 15:22:48 发布自福建，悬赏 10 积分
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