| 标题 |
 Reliability of Quasi-vertical GaN on Silicon Schottky Barrier Diodes With SiO₂ Passivation Layer Under On-State Stress Bias 具有SiO₂钝化层的硅肖特基势垒二极管上准垂直GaN在通态应力偏压下的可靠性
相关领域
钝化
可靠性（半导体）
材料科学
光电子学
硅
压力（语言学）
肖特基二极管
图层（电子）
二极管
肖特基势垒
宽禁带半导体
氮化镓
电子工程
电气工程
工程物理
纳米技术
工程类
物理
量子力学
哲学
功率（物理）
语言学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ya-Xun Lin; Der-Sheng Chao; Jenq‐Horng Liang; Yao-Luen Shen; Chih‐Fang Huang; et al 出版日期：2024-08-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
无极微光
DW
Enigma_GEB
Dean
学术文献互助
aaaa
极限001
冷酷冰巧
中华大团团
xing_xing
LYSM
aajhajkahna
Yrzyc
何志明
乐空思
牧青
清爽老九
霸霸
挖掘机
皖公网安备34019202002308
