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 Reliability of Quasi-vertical GaN on Silicon Schottky Barrier Diodes With SiO₂ Passivation Layer Under On-State Stress Bias 具有SiO₂钝化层的硅肖特基势垒二极管上准垂直GaN在通态应力偏压下的可靠性
相关领域
钝化
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硅
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ya-Xun Lin; Der-Sheng Chao; Jenq‐Horng Liang; Yao-Luen Shen; Chih‐Fang Huang; et al 出版日期：2024-08-08 |
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