| 标题 |
  TCAD-Based Investigation of a 650 V 4H-SiC Trench MOSFET with a Hetero-Junction Body Diode 基于TCAD的650 V 4H-SiC沟槽MOSFET异质结体二极管研究
相关领域
材料科学
二极管
MOSFET
光电子学
沟槽
电容
击穿电压
兴奋剂
晶体管
电压
电气工程
复合材料
电极
工程类
化学
图层（电子）
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Ruoyu Wang; Jingwei Guo; Chang Liu; Hao Wu; Zhiyong Huang; et al 出版日期：2022-10-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
Criminology34
GingerF
你嵙这个期刊没买
soler
VDC
pcr163
Alex
无极微光
wop111
eric888
优美的小笨蛋
mashibeo
elliotzzz
天黑不打烊
GPTea
梅天豪
耍酷的怀亦
null
加菲丰丰
动听衬衫
昏睡的蟠桃
Smar_zcl
竹筏过海
皖公网安备34019202002308
