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Point-defect management in homoepitaxially grown Si-doped GaN by MOCVD for vertical power devices 垂直功率器件用MOCVD同外延生长掺硅GaN的点缺陷管理
相关领域
金属有机气相外延
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期刊:Applied Physics Express 作者:Shashwat Rathkanthiwar; Pegah Bagheri; Dolar Khachariya; Seiji Mita; Spyridon Pavlidis; et al 出版日期:2022-04-14 |
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