Neural network model for implementation of electron–phonon scattering in nanoscale device simulations based on NEGF method

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标题	Neural network model for implementation of electron–phonon scattering in nanoscale device simulations based on NEGF method
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/9592522/9592524/09592557...
DOI	10.1109/sispad54002.2021.9592557 doi
其它	期刊：2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 作者：Satofumi Souma; Matsuto Ogawa 出版日期：2021-11-09
求助人	Djnsbj 在 2026-01-20 18:48:19 发布自四川，悬赏 10 积分
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