SPAD Mixed-Quenching Circuit in 0.35-µm CMOS for Achieving a PDP of 39.2% at 854 nm

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标题	SPAD Mixed-Quenching Circuit in 0.35-µm CMOS for Achieving a PDP of 39.2% at 854 nm 相关领域 CMOS芯片猝灭（荧光）电容材料科学逆变器光电子学阈值电压电气工程电压物理光学电极荧光晶体管工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.23919/mixdes55591.2022.9838232
DOI	10.23919/mixdes55591.2022.9838232 doi
其它	期刊：作者：Alija Dervić; Horst Zimmermann 出版日期：2022-06-23
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