| 标题 |
 Comparison of Total Ionizing Dose Effects in 16-nm Core and I/O n-FinFETs 16nm核心和I/O N-FINFET总电离剂量效应的比较
相关领域
材料科学
兴奋剂
光电子学
吸收剂量
离子注入
阈值电压
灵敏度（控制系统）
晶体管
芯（光纤）
MOSFET
离子
电压
场效应晶体管
电气工程
分析化学（期刊）
电子工程
光学
物理
化学
工程类
辐射
复合材料
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Nole
凌凌
cdercder
v0id
DW
xing_xing
水煮电吹风
欧克
OK
Kao
DOC_XIONG
鲤鱼灵寒
学术文献互助
唠叨的大门
殷勤的紫槐
潇洒的惋清
谢雷XIELei
认真芷容
GingerF
皖公网安备34019202002308
