| 标题 |
 Optimizing New Generation of ALD Precursors and Annealing Conditions for Ferroelectric HZO for Enhanced Memory Performance 优化新一代ALD前驱体和铁电HZO退火条件以提高存储性能
相关领域
材料科学
铁电性
退火（玻璃）
光电子学
纳米技术
原子层沉积
电子工程
非易失性存储器
电介质
随机存取存储器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Alison E. Viegas; Ayse Sünbül; Konstantinos E. Falidas; Kati Kuhnel; David Lehninger; et al 出版日期：2025-07-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
avalanche
彭于彦祖
pluto
Zx_1993
Criminology34
小杭76
小青椒
你嵙这个期刊没买
yznfly
pcr163
xxfsx
GingerF
怡然的怜烟
Frank
tuanheqi
昏睡的蟠桃
ccm
ylx
CR7
蜀安
iNk
Smar_zcl
皖公网安备34019202002308
