| 标题 |
 Field-effect transistors based on nickel oxide doped with nitrogen semiconductor ferroelectrics for ultralow voltage switch (1 μV), low subthreshold swing and memory 用于超低压开关（1 μ V）、低亚阈值摆幅和存储器的基于掺杂氮半导体铁电体的氧化镍的场效应晶体管
相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
晶体管
兴奋剂
场效应晶体管
退火（玻璃）
薄脆饼
非阻塞I/O
半导体
非易失性存储器
电压
纳米技术
电气工程
冶金
电介质
工程类
催化作用
化学
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanotechnology 作者：Silviu Vulpe; Mircea Dragoman; Martino Aldrigo; Florin Năstase; Damir Mladenovic; et al 出版日期：2025-02-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Copyright
带头大哥
无极微光
OK
东风
GingerF
Shann
浮游
学术文献互助
YWY
Fellow_Lee
pluto
dde
Oracle
推推
含糊的寻雪
WW
个性的紫菜
Nexus
皖公网安备34019202002308
