| 标题 |
 Theoretical modeling of the critical conditions for ductile-regime milling of single crystalline silicon 单晶硅延性铣削临界条件的理论模拟
相关领域
GSM演进的增强数据速率
半径
机械加工
材料科学
临界半径
缩进
硅
机械工程
过程（计算）
冶金
复合材料
计算机科学
工程类
几何学
数学
计算机安全
操作系统
曲率
电信
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers Part C Journal of Mechanical Engineering Science 作者：Xiang Cheng; Li Li; Yumei Huang; Xianhai Yang; Shuangjie Zhou 出版日期：2014-07-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Kao
Nole
伶俐妙海
Criminology34
cdercder
OK
老胡
GingerF
sagitar
学术文献互助
追寻向彤
liuxinyu
Copyright
初景
aaaa
蓝天
jiangjiarui
rebron
zz
皖公网安备34019202002308
