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 Graded Post‐Processing Assisted Heterojunction Interface for High Performance Oxide Transistors 相关领域
材料科学
阈值电压
光电子学
氧化物
晶体管
异质结
电压
薄膜晶体管
半导体
溶解过程
背景（考古学）
场效应晶体管
氧气
热的
偏压
纳米技术
工作（物理）
场效应
低压
金属
氧化物薄膜晶体管
栅氧化层
MOSFET
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Chunlan Wang; Chi Luo; Zihan Qin; Zhiyang Jin; Jingli Wang; et al 出版日期：2026-02-28 |
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