| 标题 |
 Investigation of interface traps properties induced by NBTI effects at different interfaces of VDMOS 相关领域
材料科学
负偏压温度不稳定性
电场
电导
阈值电压
光电子学
接口（物质）
氧化物
频道（广播）
MOSFET
离解（化学）
存水弯（水管）
栅氧化层
压力（语言学）
电压
降级（电信）
不稳定性
电气工程
快速切换
凝聚态物理
电子工程
排水诱导屏障降低
逻辑门
热载流子注入
场效应
电荷密度
强度（物理）
电导率
跨导
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Microelectronics Reliability 作者：Yanyong Wang; Liang He; Yanfang Li; Zhenni Wang; Zhongyang Li; et al 出版日期：2025-12-09 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
林狗
学霸业
Aurora
渡人舟
GingerF
mqh
v0id
璐璐
aaaKumaINmyMIND
极限001
事已至此先吃饭吧
区域
初景
年年有余
学术文献互助
今夕何夕
HJJHJH
淡然冬灵
cult
皖公网安备34019202002308
