Carbon Inclusions in Silicon Carbide Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport Method

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标题	Carbon Inclusions in Silicon Carbide Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport Method 相关领域医学创伤性脑损伤垂体机能减退内科学
网址	http://dx.doi.org/10.1530/endoabs.37.EP744
DOI	10.1530/endoabs.37.EP744 doi
求助人	哭笑不得在 2021-12-08 11:49:08 发布，悬赏 20 积分
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