First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process

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标题	First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process 相关领域硅外延离子注入 MOSFET 半导体
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8971803/8993428/08993501...
DOI	10.1109/iedm19573.2019.8993501 doi
其它	期刊：2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Wenhui Xu; Yuhao Zhang; Yue Hao; Xi Wang; Yibo Wang; et al 出版日期：2020-02-14
求助人	研友_Z7m7lL 在 2020-11-05 14:56:04 发布，悬赏 10 积分
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