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标题
Impact of the Schottky Barrier Height on the Carrier Velocity Overshoot Behaviors in SOI nMOSFETs With Metal Source/Drain
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DOI
10.1109/jeds.2025.3569242 doi
其它 期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者:Rui Su; Yan Jing; Xinyi Zhang; Yi Jiang; Dawei Gao; et al
出版日期:2025-01-01
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无风 在 2026-09-06 19:10:28 发布自北京,悬赏 10 积分
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