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Analysis of Etch Profiles on C-Plane Wafers in Wet Etching of Sapphire Based on Undercutting Rate Distributions in Mixture of H 2 SO 4 and H 3 PO 4 at 236 °C
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DOI
10.1149/2162-8777/ac5c82 doi
其它 期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者:Guorong Wu; Yan Xing; Ye Chen; Zai-Fa Zhou
出版日期:2022-03-01
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