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High Power Figure‐of‐Merit, 10.6‐kV AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode with Single Channel and Sub‐100‐µm Anode‐to‐Cathode Spacing |
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期刊:Small 作者:Ru Xu; Peng Chen; Jing Zhou; Yimeng Li; Yuyin Li; et al 出版日期:2022-07-22 |
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(2025-6-4)