Improved Switching Characteristics of 1.2 kV P-Shielded Split Gate SiC MOSFETs

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标题	Improved Switching Characteristics of 1.2 kV P-Shielded Split Gate SiC MOSFETs
网址	https://doi.org/10.1007/s42835-024-02132-y
DOI	10.1007/s42835-024-02132-y doi
其它	期刊：Journal of Electrical Engineering & Technology 作者：Kanghee Shin; Dongkyun Kim; Minu Kim; Jun-Ho Park; Ogyun Seok 出版日期：2025-01-18
求助人	哇哇在 2026-09-15 11:13:04 发布自广东，悬赏 10 积分
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