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High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management |
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Pegah Bagheri; Cristyan Quiñones-García; Dolar Khachariya; Shashwat Rathkanthiwar; Pramod Reddy; et al 出版日期:2022-11-09 |
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(2025-6-4)