A comparison study of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on (111) silicon and (0001) sapphire substrates under identical conditions

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标题	A comparison study of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on (111) silicon and (0001) sapphire substrates under identical conditions
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ac8da4
DOI	10.1088/1361-6463/ac8da4 doi
其它	期刊：Journal of Physics D: Applied Physics 作者：C Zhu; C Xu; P Feng; X Chen; G M de Arriba; et al 出版日期：2022-08-31
求助人	林十三在 2026-06-28 14:43:02 发布自北京，悬赏 10 积分
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