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 Two-step growth of crack-free 5 μm-thick Al0.2Ga0.8N on sapphire substrate with sputtered AlN nucleation layer 溅射AlN形核层蓝宝石衬底上无裂纹5 μ m厚Al0.2Ga 0.8 N的两步生长
相关领域
成核
蓝宝石
材料科学
图层（电子）
基质（水族馆）
宽禁带半导体
光电子学
复合材料
光学
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物理
地质学
激光器
海洋学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Y. Q. Li; Aiqin Tian; Jianping Liu; Xiang Li; Fangzhi Li; et al 出版日期：2025-02-12 |
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