| 标题 |
 Failure and Degradation Analysis of Commercial 1.2-kV SiC Trench MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Stress 重复短路应力下商用1.2 kV SiC沟槽MOSFET的失效和退化分析
相关领域
降级（电信）
MOSFET
压力（语言学）
材料科学
沟槽
光电子学
碳化硅
电气工程
电子工程
工程类
电压
复合材料
晶体管
语言学
哲学
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hengyu Yu; Michael Jin; Limeng Shi; Monikuntala Bhattacharya; Jiashu Qian; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
cdercder
冰魂
卡卡西
nozero
非而者厚
LMNg6n
昏睡的蟠桃
蓝调爱科研
科研助手6
iNk
Accepted
ZhouYW
失眠醉易
善良的剑通
pcr163
子车茗
椰子在长江送礼物
8R60d8
平常的毛豆
皖公网安备34019202002308
