Structural and energetic effects of oxygen vacancies at grain boundaries on the electrical properties of HfO2-based resistive random-access memory

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标题	Structural and energetic effects of oxygen vacancies at grain boundaries on the electrical properties of HfO2-based resistive random-access memory
网址	https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2025.114062
DOI	10.1016/j.commatsci.2025.114062 doi
其它	期刊：Computational Materials Science 作者：Dehao Qu; Junzhe Liu; Peng‐Fei Cui; Junfeng Gao; Dejun Wang 出版日期：2025-06-24
求助人	和谐灵枫在 2026-09-23 20:38:49 发布自陕西，悬赏 10 积分
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