| 标题 |
 Effect of Reaction Mechanism on Precursor Exposure Time in Atomic Layer Deposition of Silicon Oxide and Silicon Nitride 相关领域
硅
原子层沉积
材料科学
氮化硅
氧化硅
氧化物
硅烷
氮化物
应变硅
物理吸附
化学吸附
反应性（心理学）
硅烷
机车
化学工程
表面改性
薄膜
无机化学
图层（电子）
纳米技术
晶体硅
化学
催化作用
有机化学
光电子学
复合材料
冶金
病理
工程类
替代医学
非晶硅
医学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Ciaran A. Murray; Simon D. Elliott; Dennis Hausmann; Jon Henri; Adrien LaVoie 出版日期：2014 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
cdercder
22336
ale
舒适的向南
乐空思
arniu2008
童梦
啵啵
Nole
李团长
lili
猪猪hero
大力的冬萱
aajhajkahna
sagitar
虚幻小土豆
CJH
认真的不评
皖公网安备34019202002308
