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 Low trap density of oxygen-rich HfO2/GaN interface for GaN MIS-HEMT applications 相关领域
材料科学
光电子学
原子层沉积
高-κ电介质
电介质
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高电子迁移率晶体管
宽禁带半导体
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Wei‐Chih Cheng; Jiaqi He; Minghao He; Zepeng Qiao; Yang Jiang; et al 出版日期：2022-03-01 |
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