Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects

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标题	Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/1.48626...
DOI	10.1063/1.4862667 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang-Wei Jiang; Jian Gong; Nuo Xu; Shu-Shen Li; Jinfeng Zhang; et al 出版日期：2014-01-20
求助人	一裤子灰在 2026-06-05 13:12:52 发布自美国，悬赏 10 积分
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