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 Oxygen Vacancy Transition in HfOx‐Based Flexible, Robust, and Synaptic Bi‐Layer Memristor for Neuromorphic and Wearable Applications 相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
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期刊：Advanced materials and technologies 作者：Aftab Saleem; Dayanand Kumar; Amit Singh; Sailesh Rajasekaran; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期：2022-02-24 |
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(2025-6-4)
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