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Properties of Low-Temperature GaAs Obtained by LPE Method for Terahertz Devices 相关领域
太赫兹辐射
材料科学
光电子学
电子工程
工程物理
物理
工程类
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期刊:Radioelectronics and Communications Systems 作者:Semen Krukovskyi; M. Vakiv; Yevhen Yashchyshyn; Vladyslav Arikov; Andriy Voronko; et al 出版日期:2024-08-01 |
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