Highly modulated dual semimetal and semiconducting γ-GeSe with strain engineering

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标题	Highly modulated dual semimetal and semiconducting γ-GeSe with strain engineering 基于应变工程的高调制双半金属和半导体γ-GeSe 相关领域材料科学磷烯半金属凝聚态物理半导体有效质量（弹簧-质量系统）直接和间接带隙带隙石墨烯电子能带结构各向异性体积模量异质结纳米技术光电子学光学复合材料物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac83d5 AI链接 arxiv.org arxiv.org datacite.orgdoi.org
DOI	10.1088/2053-1583/ac83d5 doi
其它	期刊：2D Materials 作者：Changmeng Huan; Pu Wang; Binghan He; Yongqing Cai; Qingqing Ke 出版日期：2022-07-25
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