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 In situ nitrogen doping of β -Ga2O3 during MOCVD homoepitaxy: A theoretical and experimental study MOCVD同质外延过程中β-Ga2O3原位氮掺杂的理论与实验研究
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yaoping Lu; Ancang Yang; Titao Li; Jinxin Zhang; Lemin Jia; et al 出版日期：2025-08-18 |
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