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标题
Dislocation Defects in GaN Epilayers Grown on Si (100) Substrates by Metal-organic Chemical-vapor Deposition
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化学气相沉积 材料科学 位错 金属 金属有机气相外延 光电子学 沉积（地质） 化学工程 复合材料 外延 冶金 图层（电子） 沉积物 生物 工程类 古生物学
网址
https://doi.org/10.3938/jkps.56.1172
DOI
10.3938/jkps.56.1172 doi
其它 期刊：Journal of the Korean Physical Society
作者：Hyunsik Im; Young S. Park; Younghae Kwon; Woong Jung; Hyungsang Kim; et al
出版日期：2010-04-15
求助人
科研渣渣 在 2025-10-11 18:43:27 发布自贵州，悬赏 10 积分
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