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标题
Investigation of Thin-Barrier AlGaN/GaN HEMT Heterostructures for Enhanced Gas-Sensing Performance
薄势垒AlGaN/GaN HEMT异质结构增强气敏性能的研究
相关领域
高电子迁移率晶体管 异质结 材料科学 光电子学 阻挡层 费米气体 晶体管 图层（电子） 电子 纳米技术 物理 电气工程 工程类 量子力学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/jsen.2022.3201028
DOI
10.1109/jsen.2022.3201028 doi
其它 期刊：IEEE Sensors Journal
作者：Akhil Ranjan; Ravikiran Lingaparthi; N. Dharmarasu; K. Radhakrishnan
出版日期：2022-08-29
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huangtao 在 2025-12-06 11:10:39 发布自云南，悬赏 10 积分
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