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标题
Device Reliability of Negative Capacitance Source Pocket Double Gate TFETs: A Study on Temperature and Noise Effects
负电容源袖珍双栅TFET器件可靠性：温度和噪声效应研究
相关领域
材料科学 可靠性（半导体） 电容 噪音（视频） 光电子学 计算机科学 物理 热力学 人工智能 量子力学 电极 图像（数学） 功率（物理）
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad9400
DOI
10.1149/2162-8777/ad9400 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：K. Murali Chandra Babu; Ekta Goel
出版日期：2024-11-01
求助人
小Q 在 2025-12-09 12:44:14 发布自四川，悬赏 10 积分
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