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 Impact of Back-Gate Bias and Body-Tie on the DSOI SRAMs Under Total Ionizing Dose Irradiation 相关领域
NMOS逻辑
PMOS逻辑
材料科学
光电子学
晶体管
绝缘体上的硅
电子线路
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静态随机存取存储器
阈值电压
电气工程
电场
硅
吸收剂量
电压
辐射
物理
工程类
光学
量子力学
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：H. Ren; Fanyu Liu; Bo Li; Junyan Zhu; Siyuan Chen; et al 出版日期：2024-02-29 |
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