B2S3 monolayer: a two-dimensional direct-gap semiconductor with tunable band-gap and high carrier mobility

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标题	B2S3 monolayer: a two-dimensional direct-gap semiconductor with tunable band-gap and high carrier mobility B2S3单分子层：具有可调带隙和高载流子迁移率的二维直接带隙半导体相关领域单层材料科学带隙半导体直接和间接带隙电子迁移率光电子学从头算纳米技术物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac1d07
DOI	10.1088/1361-6528/ac1d07 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Yungeng Zhang; Yaxuan Wu; Chao Jin; Fengzhu Ren; Bing Wang 出版日期：2021-08-12
求助人	baikaishui 在 2025-03-18 11:27:26 发布自江苏，悬赏 10 积分
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