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 Suppression of back-gating effects in GaN-on-Si p-GaN gate double-channel HEMT by enhanced storage and spreading of photon-generated holes 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Zheng Wu; Longge Deng; Tao Chen; Yat Hon Ng; Zongjie Zhou; et al 出版日期：2026-09-16 |
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