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Ferroelectricity in HfO2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG |
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期刊:2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) 作者:J. Muller; E. Yurchuk; T. Schlosser; J. Paul; R. Hoffmann; et al 出版日期:2012-06-01 |
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