High-performance AlGaN ultraviolet light-emitting diode with a tunnel junction based on inverted architecture

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标题	High-performance AlGaN ultraviolet light-emitting diode with a tunnel junction based on inverted architecture
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ae2651
DOI	10.1088/1361-6641/ae2651 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Jing Li; Weizhen Yao; Fei Chen; Heyou Chang; Wu Yang; et al 出版日期：2025-12-01
求助人	紫霄客在 2026-10-29 00:42:18 发布自中国，悬赏 10 积分
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