Transition from indirect to direct band gap in SiC monolayer by chemical functionalization: A first principles study

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标题	Transition from indirect to direct band gap in SiC monolayer by chemical functionalization: A first principles study
网址	https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106320
DOI	10.1016/j.spmi.2019.106320 doi
其它	期刊：Superlattices and Microstructures 作者：D.M. Hoat; Mosayeb Naseri; Nguyen N. Hieu; R. Ponce‐Pérez; J.F. Rivas‐Silva; et al 出版日期：2019-11-04
求助人	eni233 在 2026-10-26 22:38:26 发布自新疆，悬赏 10 积分
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