| 标题 |
 Comparison of electronic stopping cross sections for channeled implantation of Al ions between the <0001> and <11-23> directions in 4H-SiC 4H-SiC中铝离子沟道注入<0001>和<11-23>方向电子停止截面的比较
相关领域
离子
原子物理学
离子注入
Atom（片上系统）
物理
材料科学
化学
量子力学
计算机科学
嵌入式系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kazuhiro Mochizuki; Tomoaki Nishimura; Tomoyoshi Mishima 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
无极微光
aaaa
愉快的真
DW
Criminology34
蓝天
xing_xing
lalala
DOC_XIONG
科研狗
嘻嘻哈哈
GingerF
贪玩的秋柔
痴情的朋友
学霸业
林狗
qwer189
xueyu
Yann
皖公网安备34019202002308
