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标题
Controlled Crystallinity of a Sn-Doped α-Ga2O3 Epilayer Using Rapidly Annealed Double Buffer Layers
使用快速退火双缓冲层控制掺Sn α-Ga2O3外延层的结晶度
相关领域
结晶度 材料科学 薄膜 外延 退火（玻璃） 蓝宝石 缓冲器（光纤） 兴奋剂 化学气相沉积 光电子学 图层（电子） 分析化学（期刊） 纳米技术 复合材料 光学 化学 计算机科学 电信 激光器 物理 色谱法
网址
https://www.mdpi.com/2079-4991/14/2/178/pdf?version=17050597...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.3390/nano14020178 doi
其它 期刊：Nanomaterials
作者：Kyoung‐Ho Kim; Yun‐Ji Shin; Seong‐Min Jeong; Heesoo Lee; Si‐Young Bae
出版日期：2024-01-12
求助人
Yella 在 2025-08-19 09:45:06 发布，悬赏 10 积分
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