| 标题 |
 Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process 等离子体刻蚀过程中辐射、自由基和离子对低k多孔SiOCH薄膜的等离子体损伤机制
相关领域
激进的
等离子体
材料科学
离子
电介质
等离子体处理
分析化学（期刊）
蚀刻（微加工）
傅里叶变换红外光谱
容性耦合等离子体
化学
辐射损伤
辐射
光电子学
化学工程
纳米技术
感应耦合等离子体
光学
有机化学
工程类
物理
量子力学
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Saburo Uchida; Seigo Takashima; Masaru Hori; Masanaga Fukasawa; Keiji Ohshima; et al 出版日期：2008-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
Kao
Nole
cdercder
GingerF
OK
Criminology34
柏柏
Nexus
无极微光
爱听歌的谷秋
雪满头
arniu2008
VDC
学术文献互助
丰富的草莓
小透明
Fellow_Lee
yjh123
Puan
皖公网安备34019202002308
