Atomic Layer Etching of SiO2 Utilizing Ultra-Low Electron Temperature Plasma

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标题	Atomic Layer Etching of SiO2 Utilizing Ultra-Low Electron Temperature Plasma 相关领域蚀刻（微加工）等离子体材料科学图层（电子）等离子体刻蚀电子温度电子原子物理学纳米技术物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c00362
DOI	10.1021/acsaelm.5c00362 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Junyoung Park; Nayeon Kim; Jung-Eun Choi; Y. K. Yeo; Min-Seok Kim; et al 出版日期：2025-05-05
求助人	Litoivda 在 2025-11-12 16:14:52 发布，悬赏 10 积分
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