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  Comparison of Hydrogen-Induced Oxide Charges Among GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al2O3, HfO2, or Hf0.57Si0.43Ox Gate Dielectrics 具有Al2O3、HfO2或Hf0.57Si 0.43 Ox栅极电介质的GaN金属氧化物半导体电容器中氢诱导氧化物电荷的比较
相关领域
材料科学
电介质
氢
电容器
氧化物
分析化学（期刊）
金属
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半导体
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Yoshihiro Irokawa; Mari Inoue; Toshihide Nabatame; Yasuo Koide 出版日期：2022-08-01 |
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