The effect of diode area on the luminescence of InGaN quantum well light emitting diodes grown by MOCVD

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标题	The effect of diode area on the luminescence of InGaN quantum well light emitting diodes grown by MOCVD
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	M. Hansen, P. Kozodoy, S. Keller, U. Mishra, J. Speck, S. Denbaars
求助人	虾子在 2026-07-13 09:43:22 发布自江苏，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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